氮化镓的应用方面有哪些？

氮化镓如果应有在充电器上可以实现非常明显的升级，采用氮化镓材料做出来的充电头，体积和苹果5W差不多大的情况下，能实现更大的功率。
氮化镓充电头拥有更小的体积，却能够实现更大的功率，提高充电能力。
那么，什么是氮化镓材料呢？
氮化镓号称第三代半导体核心材料。氮化镓，分子式GaN，英文名称Gallium nitride，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体
大部分行业的基础材料是硅，从电子行业看硅是非常重要的材料。但随着硅极限被逐步逼近，基本上现在硅的开发达到了瓶颈，许多产业已经开始努力寻找更合适的替代品，氮化镓就是这样进入到了人们眼中。
氮化镓号称第三代半导体核心材料。相对硅而言，氮化镓拥有更宽的带隙，宽带隙也意味着，氮化镓能比硅承受更高的电压，拥有更好的导电能力。简而言之两种材料在相同体积下，氮化镓比硅的效率高出不少。如果氮化镓替换现在所有电子设备，可能会让电子产品的用电量再减少10%或者25%。
【氮化镓能比硅承受更高的电压，拥有更好的导电能力】这意味着，在许多电源管理产品中，氮化镓是更强的存在。应用层面，采用氮化镓做充电器的话能够实现更快充电更小体积。
打个比方说，采用氮化镓材料做出来的充电头，体积和苹果5W差不多大的情况下，能实现更多的功率。苹果的5W充电头实现的充电效率相信大家都懂的，未来新的材料大规模应有后就有望改变这种情况。毕竟，市场上更好的方案出现，很可能会倒逼苹果进步。
未来一段时间中，采用氮化镓材料做出来的充电器会越来越多，能大大提升产品的充电能力。
这是一种具有较大禁带宽度的半导体，属于所谓宽禁带半导体之列。它是微波功率晶体管的优良材料，也是蓝色光发光器件中的一种具有重要应用价值的半导体。GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点，是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料，并与SIC、金刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。它具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好(几乎不被任何酸腐蚀)等性质和强的抗辐照能力，在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景希望对你有帮助！